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J-GLOBAL ID：200902194464718509   整理番号：97A0704968

サファイア上のGaN成長

GaN growth on sapphire.
著者 (2件)：
MELTON W A

MELTON W A について

(Univ. Colorado, Colorado, USA)

Univ. Colorado, Colorado, USA について

, 
PANKOVE J I

PANKOVE J I について

(Astralux, Inc., Colorado, USA)

Astralux, Inc., Colorado, USA について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 178  号： 1/2  ページ： 168-173  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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GaNの成長はサファイア基板上で行われてきた。最もよく使われ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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窒化ガリウム

窒化ガリウム について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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サファイア

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GaN

GaN について

, 
成長

成長 について


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