水素雰囲気で成長させたSiの光吸収

SUEZAWA M

文献

J-GLOBAL ID：200902194531966326 整理番号：98A0329773

水素雰囲気で成長させたSiの光吸収

Optical absorption study of Si grown in a hydrogen ambient.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 83 号： 4 ページ： 1958-1961 発行年： 1998年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1気圧の水素雰囲気で成長させたSi単結晶の光吸収スペクトルを...

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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル , 半導体の格子欠陥

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