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J-GLOBAL ID:200902194531966326   整理番号:98A0329773

水素雰囲気で成長させたSiの光吸収

Optical absorption study of Si grown in a hydrogen ambient.
著者 (1件):
資料名:
巻: 83  号:ページ: 1958-1961  発行年: 1998年02月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1気圧の水素雰囲気で成長させたSi単結晶の光吸収スペクトルを...
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分類 (2件):
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半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  ,  半導体の格子欠陥 
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