原子状水素によるSi(111)-(7×7)とSi(100)-(2×1)表面のエッチング

WEI Y; LI L; TSONG I S T

文献

J-GLOBAL ID：200902194544900200 整理番号：95A0428219

原子状水素によるSi(111)-(7×7)とSi(100)-(2×1)表面のエッチング

Etching of Si(111)-(7×7) and Si(100)-(2×1) surfaces by atomic hydrogen.

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巻： 66 号： 14 ページ： 1818-1820 発行年： 1995年04月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記を走査型トンネル顕微鏡(STM)によって調べた。H原子が...

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半導体の表面構造 , 試料技術

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