文献
J-GLOBAL ID：200902194771710698   整理番号：01A1016996

Siにおける電子照射に誘起された再結晶化の機構

Mechanism of electron-irradiation-induced recrystallization in Si.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A1016996&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}
著者 (4件)：
FRANTZ J

FRANTZ J について

(Univ. Helsinki, FIN)

Univ. Helsinki, FIN について

, 
TARUS J

TARUS J について

(Univ. Rome “La Sapienza”, Rome, ITA)

Univ. Rome “La Sapienza”, Rome, ITA について

, 
NORDLUND K

NORDLUND K について

(Univ. Helsinki, FIN)

Univ. Helsinki, FIN について

, 
KEINONEN J

KEINONEN J について

(Univ. Helsinki, FIN)

Univ. Helsinki, FIN について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 64  号： 12  ページ： 125313.1-125313.5  発行年： 2001年09月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
極低温でも,また,電子ビームエネルギーが低く,バリスティック...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*ケイ素

ケイ素 について

,...
   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A1016996&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}
分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
非晶質半導体の構造 
(BK04030O)

非晶質半導体の構造 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
Si

Si について

, 
電子照射

電子照射 について

, 
誘起

誘起 について

, 
再結晶化

再結晶化 について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM