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J-GLOBAL ID：200902195097608161   整理番号：93A0878802

InGaAs/GaAs超格子におけるWannier-Stark局在とその電気光学デバイスへの応用

Wannier-Stark localization in InGaAs/GaAs superlattices and its application to electro-optical devices.

著者 (6件)： LIU W (Inst. Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  ZHANG Y (Inst. Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  JIANG D (Inst. Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  WANG R (Beijing Normal Univ., Beijing, CHN) ,  ZHOU J (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN) ,  MEI X (Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 74  号： 6  ページ： 4274-4276  発行年： 1993年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温および室温の光電流スペクトル測定によって歪みIn<sub...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  GaAs ,  超格子 ,  電気光学デバイス ,  応用