文献
J-GLOBAL ID：200902195105029451   整理番号：93A0904024

Layer disordering and carrier concentration in heavily carbon-doped AlGaAs/GaAs superlattices.

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著者 (7件)：
YOU H M

YOU H M について

(Duke Univ., NC)

Duke Univ., NC について

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TAN T Y

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(Duke Univ., NC)

Duke Univ., NC について

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GOESELE U M

GOESELE U M について

(Duke Univ., NC)

Duke Univ., NC について

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HOEFLER G E

HOEFLER G E について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL について

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HSIEH K C

HSIEH K C について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL について

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HOLONYAK N JR

HOLONYAK N JR について

(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)

Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL について

, 
LEE S-T

LEE S-T について

(Eastman Kodak Co., NY)

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資料名：
3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance  (3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance)

3-5 Electronic and Photonic Device Fabrication and Performance について


ページ： 409-414  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930543  ISBN： 1-55899-196-4  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
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AlGaAs

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GaAs

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