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J-GLOBAL ID：200902195123173292   整理番号：94A0154188

減圧MOCVDによるGaAsSb成長層におけるAs/Sbの分配係数

The distribution coefficient in the growth of GaAsSb layer by LP-MOCVD.

著者 (5件)： 竹内隆 (神奈川大 工) ,  横山敦 (神奈川大 工) ,  毛馬内崇徳 (神奈川大 工) ,  岩村保雄 (神奈川大 工) ,  渡部尚三 (神奈川大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 1  ページ： 246  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 減圧 ,  MOCVD ,  GaAsSb ,  成長 ,  Sb ,  分配係数