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J-GLOBAL ID:200902195174589892   整理番号:02A0825858

シリコンMOSFETの素子スケーリング限界とその応用依存性

Device Scaling Limits of Si MOSFETs and Their Application Dependencies.
著者 (6件):
資料名:
巻: 89  号:ページ: 259-288  発行年: 2001年03月 
JST資料番号: D0378A  ISSN: 0018-9219  CODEN: IEEPAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコンCMOS技術のスケーリングを制限する因子に関し,現在...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  半導体集積回路 

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