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J-GLOBAL ID：200902195174589892   整理番号：02A0825858

シリコンMOSFETの素子スケーリング限界とその応用依存性

Device Scaling Limits of Si MOSFETs and Their Application Dependencies.

著者 (6件)： FRANK D J (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  DENNARD R H (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  NOWAK E (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  SOLOMON P M (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  TAUR Y (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  WONG H-S P (IBM Thomas J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 89  号： 3  ページ： 259-288  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンCMOS技術のスケーリングを制限する因子に関し,現在...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： シリコン

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  MOSFET ,  スケーリング ,  限界 ,  応用 ,  依存性