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J-GLOBAL ID：200902195243124945   整理番号：97A0096409

アンモニウム熱法によるGaNの結晶成長

On GaN crystallization by ammonothermal method.

著者 (6件)： DWILINSKI R (Warsaw Univ., Warszawa, POL) ,  BARANOWSKI J M (Warsaw Univ., Warszawa, POL) ,  KAMINSKA M (Warsaw Univ., Warszawa, POL) ,  DORADZINSKI R (Warsaw Univ., Warszawa, POL) ,  GARCZYNSKI J (Warsaw Univ. Technol., Warszawa, POL) ,  SIERZPUTOWSKI L (Warsaw Univ. Technol., Warszawa, POL)
資料名： Acta Physica Polonica. A  (Acta Physica Polonica. A)
巻： 90  号： 4  ページ： 763-766  発行年： 1996年10月 
JST資料番号： A0319A  ISSN： 0587-4246  CODEN： APTLBW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ポーランド (POL)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最高5kbar,550°Cまでの圧力,温度で,アンモニウム熱法...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： アンモニウム ,  GaN ,  結晶成長