ポリシリコンゲート電極を有する熱安定なCVDによるHFO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>の改良されたゲート誘電体

文献

J-GLOBAL ID：200902195457840109 整理番号：03A0088510

ポリシリコンゲート電極を有する熱安定なCVDによるHFO_xN_yの改良されたゲート誘電体

Thermally Stable CVD HfO_xN_y Advanced Gate Dielectrics with Poly-Si Gate Electrode.

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資料名：
巻： 2002 ページ： 857-860 発行年： 2002年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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