導電性原子間力顕微鏡を利用して電気的ストレスを印加した極薄SiO<sub>2</sub>膜のナノスケール電気特性評価

PORTI M; NAFRIA M; AYMERICH X; OLBRICH A; EBERSBERGER B

文献

J-GLOBAL ID：200902195521905228 整理番号：01A0743525

導電性原子間力顕微鏡を利用して電気的ストレスを印加した極薄SiO₂膜のナノスケール電気特性評価

Nanometer-scale electrical characterization of stressed ultrathin SiO₂ films using conducting atomic force microscopy.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=01A0743525&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0743525&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 78 号： 26 ページ： 4181-4183 発行年： 2001年06月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電気的ストレスを印加したSiO₂薄膜(...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0743525&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

酸化物薄膜 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

, , , , , , ,

前のページに戻る

導電性原子間力顕微鏡を利用して電気的ストレスを印加した極薄SiO2膜のナノスケール電気特性評価

導電性原子間力顕微鏡を利用して電気的ストレスを印加した極薄SiO₂膜のナノスケール電気特性評価