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J-GLOBAL ID：200902195578758744   整理番号：94A0101004

青色発光素子用にガスソース分子ビームエピタクシーにより成長させた活性窒素ドープP型ZnSe

Active-Nitrogen-Doped P-Type ZnSe Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy for Blue-Light-Emitting Devices.

著者 (5件)： IMAIZUMI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  ENDOH Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  OHTSUKA K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  ISU T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo) ,  NUNOSHITA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32  号： 12A  ページ： L1725-L1727  発行年： 1993年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂Seを原料として用いて標記エピタキ...

シソーラス用語： セレン化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： ガスソースMBE ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 青色 ,  発光素子 ,  ガスソース分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  活性 ,  窒素ドープ ,  ZnSe