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J-GLOBAL ID：200902195781354373   整理番号：01A0728450

ウルツ鉱型GaNベース磁性合金半導体の分子ビームエピタクシー

Molecular Beam Epitaxy of Wurtzite GaN-Based Magnetic Alloy Semiconductors.

著者 (5件)： KUWABARA S (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  CHIKYOW T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  AHMET P (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  MUNEKATA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 7B  ページ： L724-L727  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶GaN:Mn及びGaN:Feエピ層を高周波プラズマ支援...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

引用文献 (24件)：

• 1) H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnár, A. Segmüller, L. L. Chang and L. Esaki: Phys. Rev. Lett. 63 (1989) 1849.
• 2) H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 363.
• 3) T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka: J. Cryst. Growth 175/176 (1997) 1063.
• 4) S. Haneda, M. Yamaura, Y. Takatani, K. Hara, S. Harigae and H. Munekata: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L9.
• 5) W. Gebicki, J. Strzeszewski, G. Kamler, T. Szyszko and S. Podsiadlo: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3870.

タイトルに関連する用語 (4件)： ウルツ鉱 ,  GaN ,  磁性合金 ,  分子ビームエピタクシー