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J-GLOBAL ID：200902195866393629   整理番号：93A0977144

MAGT(MOS支援ゲートトリガサイリスタ)を使ってサイラトロンを直接置き換えるための素子パラメータの解析

Device parameter analysis for direct replacement of thyratrons with MAGTs.

著者 (4件)： SHINOHE T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MINAMI Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SATO S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHASHI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993  (Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993)
ページ： 77-81  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930580  ISBN： 0-7803-1314-3  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒートパイプを搭載した4.5kVのMAGTの8連素子について...

シソーラス用語： サイリスタ ,...
準シソーラス用語： MAGT

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分類 (1件)： サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOS ,  支援 ,  サイラトロン ,  パラメータ ,  解析