量子トンネルに基づくシリコン電界効果トランジスタ

TUCKER J R; WANG C; CARNEY P S

文献

J-GLOBAL ID：200902195902476412 整理番号：94A0723783

量子トンネルに基づくシリコン電界効果トランジスタ

Silicon field-effect transistor based on quantum tunneling.

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資料名：
巻： 65 号： 5 ページ： 618-620 発行年： 1994年08月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

金属ソース電極とSiチャネルの界面にあるSchottky障壁...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

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