自己種結晶形成勾配付き凝固法によるAgGaS<sub>2</sub>単結晶の成長

文献

J-GLOBAL ID：200902196021293192 整理番号：98A0853842

自己種結晶形成勾配付き凝固法によるAgGaS₂単結晶の成長

Growth of AgGaS₂ single crystals by a self-seeding vertical gradient freezing method.

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資料名：
巻： 192 号： 1/2 ページ： 354-360 発行年： 1998年08月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

AgGaS₂単結晶を標題方法により成長...

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半導体の結晶成長

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