GaN-AlxGa1-xNヘテロ接合に基づく高電子移動度トランジスタ

KHAN M A; BHATTARAI A; KUZNIA J N; OLSON D T

文献

J-GLOBAL ID：200902196112628561 整理番号：93A0811222

GaN-Al_xGa_1-xNヘテロ接合に基づく高電子移動度トランジスタ

High electron mobility transistor based on a GaN-Al_xGa_1-xN heterojunction.

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巻： 63 号： 9 ページ： 1214-1215 発行年： 1993年08月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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トランジスタ , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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