文献

J-GLOBAL ID：200902196136055465   整理番号：93A0274863

100以上の室温でのピーク対谷電流比を持つ共鳴バンド間トンネルダイオードの実験的証明

Experimental demonstration of resonant interband tunnel diode with room temperature peak-to-valley current ratio over 100.

著者 (4件)： DAY D J (Varian Research Center, California) ,  YANG R Q (Univ. Toronto, Toronto, CAN) ,  LU J (Univ. Toronto, Toronto, CAN) ,  XU J M (Univ. Toronto, Toronto, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 73  号： 3  ページ： 1542-1544  発行年： 1993年02月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共鳴バンド間トンネル(RIT)ダイオードに関する最近の実験を...

シソーラス用語： ヒ化物 ,...
準シソーラス用語： ひ化インジウムアルミニウム

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0274863&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  谷 ,  共鳴 ,  バンド ,  トンネルダイオード ,  実験 ,  証明