単一電子トランジスタのノイズの利得依存性

STARMARK B; HENNING T; CLAESON T; DELSING P; KOROTKOV A N

文献

J-GLOBAL ID：200902196298928748 整理番号：99A0812004

単一電子トランジスタのノイズの利得依存性

Gain dependence of the noise in the single electron transistor.

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資料名：
巻： 86 号： 4 ページ： 2132-2136 発行年： 1999年08月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

単一電子トランジスタ(SET)の低周波ノイズを利得の関数とし...

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金属-絶縁体-金属構造

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