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J-GLOBAL ID：200902196395636956   整理番号：93A0918092

0.3μm級の逆TゲートMOSとLDD MOSの電流駆動性および信頼性の特性化

Characterization of Current Drivability and Reliability of 0.3 um Inverse T-Gate MOS Compared with Those of Conventional LDD MOS.

著者 (5件)： YOUN C J (ETRI) ,  KIM C S (ETRI) ,  LEE J H (ETRI) ,  KIM D Y (ETRI) ,  LEE J H (ETRI)
資料名： Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A  (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A)
巻： 30  号： 8  ページ： 662-670  発行年： 1993年08月 
JST資料番号： H0632B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 韓国語 (KO)

抄録/ポイント： 標記逆TゲートMOS(ITMOS)と普通の酸化物スペーサli...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  MOS ,  電流駆動 ,  特性化