昇華サンドイッチ法で成長させたAlNの核形成に及ぼすバッファ層および6H-SiC基板極性の影響

文献

J-GLOBAL ID：200902196548328962 整理番号：01A0914453

Influence of buffer layer and 6H-SiC substrate polarity on the nucleation of AlN grown by the sublimation sandwich technique.

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資料名：
巻： 233 号： 1/2 ページ： 177-186 発行年： 2001年11月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

昇華法によるAlNの成長を種々の条件下で行い,成長層について...

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半導体薄膜

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