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J-GLOBAL ID：200902196640375306   整理番号：97A0743383

Si/Ge第2種量子ドットにおける間接励起子の無フォノン放射再結合

Phononless radiative recombination of indirect excitons in a Si/Ge type-II quantum dot.

著者 (4件)： FUKATSU S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUNAMURA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOMIYAMA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 2  ページ： 258-260  発行年： 1997年07月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)上に成長した自己組織化Stranski-Kra...

シソーラス用語： 量子ドット ,...

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分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  Ge ,  量子ドット ,  間接 ,  励起子 ,  フォノン ,  放射再結合