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J-GLOBAL ID：200902196815289513   整理番号：01A0976291

原子間力顕微鏡を用いた自然の酸化物層の引っかきによるSi(100)表面のナノスケールのパターンづけ

Nanoscale patterning of Si(100) surfaces by scratching through the native oxide layer using atomic force microscope.

著者 (3件)： SANTINACCI L (Univ. Erlangen-Nuremberg, Erlangen, DEU) ,  DJENIZIAN T (Univ. Erlangen-Nuremberg, Erlangen, DEU) ,  SCHMUKI P (Univ. Erlangen-Nuremberg, Erlangen, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 12  ページ： 1882-1884  発行年： 2001年09月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自然の酸化物によって覆われたp型とn型のSi(100)へのナ...

シソーラス用語： *銅 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子間力顕微鏡 ,  酸化物層 ,  Si ,  ナノスケール