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J-GLOBAL ID：200902196939950110   整理番号：02A0570400

4H-SiCの高電圧(3kV)UMOSFET

High-Voltage (3kV) UMOSFETs in 4H-SiC.

著者 (3件)： LI Y (AMD Corp., CA) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN, USA) ,  CAPANO M A (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 49  号： 6  ページ： 972-975  発行年： 2002年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC半導体を用いた縦型トレンチゲートMOS電界効果ト...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 阻止電圧

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 4H-SiC ,  高電圧