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J-GLOBAL ID：200902197053822177   整理番号：01A0138882

InGaN/GaN紫色レーザダイオードのウエハ上連続波動作

On-wafer continuous-wave operation of InGaN/GaN violet laser diodes.

著者 (8件)： HASNAIN G (Agilent Technol., CA, USA) ,  TAKEUCHI T (Agilent Technol., CA, USA) ,  SCHNEIDER R (Agilent Technol., CA, USA) ,  SONG S (Agilent Technol., CA, USA) ,  TWIST R (Agilent Technol., CA, USA) ,  BLOMQVIST M (Agilent Technol., CA, USA) ,  KOCOT C (Agilent Technol., CA, USA) ,  FLORY C (Agilent Technol., CA, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 36  号： 21  ページ： 1779-1780  発行年： 2000年10月12日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウムおよび関連合金による青色および紫色レーザは,高密...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  紫色 ,  レーザダイオード ,  ウエハ ,  連続波