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J-GLOBAL ID:200902197059181840   整理番号:01A0088205

高品質の水素化非晶質炭素の成長のためのプラズマパラメータの制御

Control of Plasma Parameters for High-Quality Hydrogenated Amorphous Carbon Growth.
著者 (5件):
資料名:
巻: 39  号: 11  ページ: 6427-6431  発行年: 2000年11月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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純粋なメタンを使う容量結合プラズマCVDによるa-C:Hの膜...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
物質索引 (1件):
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引用文献 (23件):
  • 1) B. Bhushan: Tribology and Mechanics of Magnetic Storage Devices, ed. B. Bhushan (Springer, New York, 1996) 2nd ed. Chap. 8, p. 632.
  • 2) K. Azuma, H. Shirai and T. Kochi: Thin Solid Films 296 (1997) 72.
  • 3) S. Logothetidis, G. Stergioudis and N. Vouroutzis: Surf. & Coat. Technol. <B>100–101</B> (1998) 486.
  • 4) K. Azuma, H. Inaba, K. Tasaka and H. Shirai: submitted to Jpn. J. Appl. Phys.
  • 5) P. Koidl, Ch. Wild, B. Dischler, J. Wagner and M. Ramsteiner: Mater. Sci. Forum <B>52&53</B> (1989) 41.
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