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J-GLOBAL ID：200902197190991695   整理番号：99A0419943

低電圧における超薄酸化膜の信頼性予測

Reliability Projection for Ultra-Thin Oxides at Low Voltage.
著者 (2件)：
STATHIS J H

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(IBM Res. Div., NY, USA)

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, 
DIMARIA D J

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(IBM Res. Div., NY, USA)

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資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1998  ページ： 167-170  発行年： 1998年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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膜厚1.4~5nmの範囲にある酸化膜を持つMOSFETに対し...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

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準シソーラス用語：
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ゲート酸化膜

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分類 (2件)：
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トランジスタ 
(NC03070N)

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,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
(NC03040G)

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タイトルに関連する用語 (3件)：
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酸化膜

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, 
信頼性予測

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