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J-GLOBAL ID：200902197268281363   整理番号：95A0194024

アモルファスシリコン応用における欠陥密度決定のための定光導電率法(CPM)の補正

Corrections to the constant photoconductivity method(CPM) for determining defect densities, with application to amorphous silicon.

著者 (4件)： BUBE R H (Stanford Univ., California) ,  BENATAR L E (Stanford Univ., California) ,  GRIMBERGEN M N (Stanford Univ., California) ,  REDFIELD D (Stanford Univ., California)
資料名： Photovoltaic Solar Energy Conference  (Photovoltaic Solar Energy Conference)
巻： 11th  ページ： 722-725  発行年： 1993年 
JST資料番号： E0383B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CPM技術を広く用いて,小さい吸収係数のみが存在する薄膜材料...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファスシリコン ,  応用 ,  欠陥密度 ,  導電率 ,  CPM