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J-GLOBAL ID：200902197565211072   整理番号：98A0522238

炭素ドープInP/InGaAs系HBTのベース/エミッタ接合安定性

Stability of B-E junction characteristics of carbon-doped InP/InGaAs HBT’s under bias and temperature stress.

著者 (5件)： 栗島賢二 (NTT) ,  山幡章司 (NTT) ,  中島裕樹 (NTT) ,  伊藤弘 (NTT) ,  渡辺則之 (NTT)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 3  ページ： 1319  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素 ,  ドープ ,  InP ,  InGaAs ,  HBT ,  エミッタ ,  安定性