NdGaO<sub>3</sub>基板上のGaNの水素化物気相エピタクシーと2インチスケールの自立したGaNウエハの実現

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J-GLOBAL ID：200902197638742349 整理番号：00A0544467

NdGaO₃基板上のGaNの水素化物気相エピタクシーと2インチスケールの自立したGaNウエハの実現

Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN on NdGaO₃ Substrate and Realization of Freestanding GaN Wafers with 2-inch Scale.

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 39 号： 4B ページ： 2399-2401 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記エピタクシーにおいてNH₃による基...

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半導体薄膜

引用文献 (6件)：

1) S. Nakamura and G. Falso: The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Berlin, 1997).
2) For example, Ed. J. H. Edger: Properties of Group III Nitrides (INSPEC, 1994) Chap. 1.
3) A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.
4) H. Okazaki, A. Arakawa, T. Asahi, O. Oda and K. Aiki: Solid-State Electron. 41 (1997) 263.
5) A. Wakahara, T. Nishida, K. Kawano, A. Yoshida, Y. Seki and O. Oda: Proc. 10th Conf. on Semiconducting and Insulating Materials (Berkeley, USA, 1998) p. 33.

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