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J-GLOBAL ID：200902197720042479   整理番号：97A0529539

動的なしきい値電圧制御に適したSOIASバックゲートCMOS

Back-Gated CMOS on SOIAS For Dynamic Threshold Voltage Control.

著者 (4件)： YANG I Y (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  VIERI C (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  CHANDRAKASAN A (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  ANTONIADIS D A (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 44  号： 5  ページ： 822-831  発行年： 1997年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力設計のための電源としきい値電圧の同時低減は,静的な漏れ...

シソーラス用語： 電圧制御 ,...
準シソーラス用語： バックゲーティング

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： しきい値電圧 ,  バックゲート ,  CMOS