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J-GLOBAL ID：200902197897475359   整理番号：01A0071572

半導体ヘテロ構造中へのロバストな電気スピン注入

Robust electrical spin injection into a semiconductor heterostructure.

著者 (6件)： JONKER B T (Naval Res. Lab., Washington, DC) ,  PARK Y D (Naval Res. Lab., Washington, DC) ,  BENNETT B R (Naval Res. Lab., Washington, DC) ,  CHEONG H D (State Univ. New York at Buffalo, New York) ,  KIOSEOGLOU G (State Univ. New York at Buffalo, New York) ,  PETROU A (State Univ. New York at Buffalo, New York)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 62  号： 12  ページ： 8180-8183  発行年： 2000年09月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ヘテロ構造中に,格子整合していない磁気接触からスピン分...

シソーラス用語： 亜鉛化合物 ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  ロバスト ,  スピン注入