TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成

国友久彰; 青山仁子; 常野克己; 中村高秀; 佐藤久子; 増田弘生

文献

J-GLOBAL ID：200902198204650728 整理番号：94A0877921

TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成

TCAD-based Generation of Circuit Model-Parameters for 0.4um CMOS Process Technology.

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資料名：
巻： 94 号： 235(VLD94 52-62) ページ： 75-81 発行年： 1994年09月14日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

プロセス・デバイスシミュレーションを,次世代CMOS,DRA...

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集積回路一般

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