1.3と1.5μmの圧縮歪InGaAs(P) MQW半導体レーザの温度依存性

PHILLIPS A F; SWEENEY S J; ADAMS A R; THIJS P J A

文献

J-GLOBAL ID：200902198310021861 整理番号：99A0976949

1.3と1.5μmの圧縮歪InGaAs(P) MQW半導体レーザの温度依存性

The Temperature Dependence of 1.3- and 1.5-μm Compressively Strained InGaAs(P) MQW Semiconductor Lasers.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0976949&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0976949&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0734A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 5 号： 3 ページ： 401-412 発行年： 1999年05月
JST資料番号： W0734A ISSN： 1077-260X CODEN： IJSQEN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の半導体レーザにおいて,電流Iをしきい値まで増加したとき...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0976949&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0734A") }}

半導体レーザ

, , , ,

前のページに戻る