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J-GLOBAL ID：200902198426264249   整理番号：02A0141550

AlGaN/AlN/GaN高パワーマイクロ波HEMT

AlGaN/AlN/GaN High-Power Microwave HEMT.

著者 (9件)： SHEN L (Univ. California, CA, USA) ,  HEIKMAN S (Univ. California, CA, USA) ,  MORAN B (Univ. California, CA, USA) ,  COFFIE R (Univ. California, CA, USA) ,  ZHANG N-Q (Univ. California, CA, USA) ,  BUTTARI D (Univ. California, CA, USA) ,  SMORCHKOVA I P (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 22  号： 10  ページ： 457-459  発行年： 2001年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代のマイクロ波パワーデバイスの有力な候補として,GaNベ...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  パワー ,  マイクロ波 ,  HEMT