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J-GLOBAL ID：200902198496048381   整理番号：94A0860477

非プレナー基板上への成長による量子井戸ヘテロ構造の横型パターンニング

Lateral Patterning of Quantum Well Heterostructures by Growth on Nonplanar Substrates.
著者 (1件)：
KAPON E

KAPON E について

(Bellcore, New Jersey)

Bellcore, New Jersey について


資料名：
Semiconductors and Semimetals  (Semiconductors and Semimetals)

Semiconductors and Semimetals について


巻： 40  ページ： 259-336  発行年： 1994年 
JST資料番号： H0543B  ISSN： 0080-8784  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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非平面基板上へのエピタキシャル成長による半導体量子井戸ヘテロ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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伝導帯

伝導帯 について


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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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プレナー

プレナー について

, 
成長

成長 について

, 
量子井戸

量子井戸 について

, 
ヘテロ構造

ヘテロ構造 について

, 
横型

横型 について

, 
パターンニング

パターンニング について


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