文献

J-GLOBAL ID：200902198553034333   整理番号：02A0913856

磁気トンネル障壁NiO_xを持つニオブSIS接合の作製

Fabrication of niobium SIS junctions with a magnetic tunneling barrier NiO_x.

著者 (5件)： SEKO K (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  ICHIKAWA Y (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  TERAJIMA R (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  SAKAI J (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  IMAI S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Advances in Superconductivity  (Advances in Superconductivity)
巻： 14th  号： Pt.2  ページ： 1310-1313  発行年： 2002年 
JST資料番号： L1458A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *超伝導接合 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0913856&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L1458A") }}

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁気 ,  トンネル障壁 ,  ニオブ ,  SIS接合 ,  作製