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J-GLOBAL ID：200902198570279870   整理番号：99A0853970

C₄F₈/CH₃F/Ar化学を使った高密度誘導結合プラズマでの薄い窒化物障壁自己整列コンタクト(TNBSAC)酸化物エッチング

Thin nitride barrier self-aligned contact(TNBSAC) oxide etching in a high density inductively coupled plasma using C₄F₈/CH₃F/Ar chemistry.

著者 (6件)： KIM J-H (Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd., Kyoungki-do, KOR) ,  RYU J-O (Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM J-S (Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd., Kyoungki-do, KOR) ,  LEE B-C (Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd., Kyoungki-do, KOR) ,  KIM J-W (Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd., Kyoungki-do, KOR) ,  SEOL Y-S (Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd., Kyoungki-do, KOR)
資料名： Proceedings of the 12th International Symposium on Plasma Processing, 1998  (Proceedings of the 12th International Symposium on Plasma Processing, 1998)
ページ： 137-145  発行年： 1998年 
JST資料番号： K19990339  ISBN： 1-56677-198-6  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (10件)： Ar ,  化学 ,  高密度 ,  誘導結合プラズマ ,  窒化物 ,  障壁 ,  自己整列 ,  コンタクト ,  酸化物 ,  エッチング