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J-GLOBAL ID：200902198713050829   整理番号：99A0353644

GaInP/GaAsヘテロ構造における水素不動態化の光学的電気的研究

The optical and electrical studies of hydrogen passivation in GaInP/GaAs heterostructures.

著者 (3件)： FAN J C (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WANG J C (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Y F (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 10  ページ： 1463-1645  発行年： 1999年03月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(100)基板上の低圧MOCVD成長Ga<sub>0...

シソーラス用語： リン化物 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaInP ,  GaAs ,  ヘテロ構造 ,  水素 ,  不動態化 ,  光学 ,  研究