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J-GLOBAL ID：200902198755274522   整理番号：01A0875033

1次元のS=1 Haldaneギャップ系Y2-xCaxBaNiO5におけるドープ正孔の電荷動力学

Charge dynamics of doped holes in one-dimensional S=1 Haldane-gap system Y2-xCaxBaNiO5.
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著者 (6件)：
ITO T

ITO T について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

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YAMAGUCHI H

YAMAGUCHI H について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

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OKA K

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

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KOJIMA K M

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(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

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EISAKI H

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(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)

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UCHIDA S

UCHIDA S について

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 64  号： 6  ページ： 060401.1-060401.4  発行年： 2001年08月01日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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イットリウム化合物

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光学伝導率

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分類 (2件)：
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絶縁体結晶の電子構造 
(BM02070Y)

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(BM08010A)

光物性一般 について

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