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J-GLOBAL ID：200902198866247753   整理番号：95A0601913

プラズマ増強したTEOS蒸着の帯電損傷

Charging Damage from Plasma Enhanced TEOS Deposition.

著者 (2件)： CHEUNG K P (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  PAI C-S (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 16  号： 6  ページ： 220-222  発行年： 1995年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PETEOS蒸着の間のプラズマ帯電損傷による重大なn-チャネ...

シソーラス用語： ホットキャリア ,...
準シソーラス用語： TEOS ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ ,  増強 ,  TEOS ,  蒸着 ,  帯電 ,  損傷