BCl<sub>3</sub>を使用したGaNの反応性イオンエッチング

LIN M E; FAN Z F; MA Z; ALLEN L H; MORKOC H

文献

J-GLOBAL ID：200902198938905122 整理番号：94A0233627

BCl₃を使用したGaNの反応性イオンエッチング

Reactive ion etching of GaN using BCl₃.

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資料名：
巻： 64 号： 7 ページ： 887-888 発行年： 1994年02月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマ促進分子線エピタクシーにより成長させた高品質GaN膜...

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プラズマ応用

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BCl3を使用したGaNの反応性イオンエッチング

BCl₃を使用したGaNの反応性イオンエッチング