文献

J-GLOBAL ID：200902199203119286   整理番号：98A0654637

プラズマ援助分子ビームエピタキシャルGaN{0001}膜表面の終端構造の同軸衝突イオン散乱分光による同定

Terminating Structure of Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial GaN{0001} Film Surface Identified by Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy.

著者 (5件)： SHIMIZU S (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  SUZUKI Y (ULVAC JAPAN, Ltd., Kanagawa, JPN) ,  NISHIHARA T (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI S (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINOHARA M (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 6B  ページ： L703-L705  発行年： 1998年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化したサファイア{0001}基板上にプラズマ援助MBEによ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0654637&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353
• 2) T. Lei, M. Fanciulli, R. J. Molnar, T. D. Moustakas, R. J. Graham and J. Scanlon: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 944
• 3) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 4) T. D. Moustakas, T. Lei and R. J. Molnar: Physica B 185 (1993) 36.
• 5) J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffler and J. E. Northrup: Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima, 1997, p. 216.

タイトルに関連する用語 (10件)： プラズマ ,  援助 ,  分子ビーム ,  エピタキシャル ,  GaN ,  終端 ,  同軸 ,  衝突 ,  イオン散乱分光 ,  同定