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J-GLOBAL ID：200902199273963599   整理番号：98A0967751

GaNやAlN製造用のAMMONO法

AMMONO method of GaN and AlN production.

著者 (6件)： DWILINSKI R (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  DORADZINSKI R (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  GARCZYNSKI J (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  SIERZPUTOWSKI L (Warsaw Univ. Technol., Warsaw, POL) ,  BARANOWSKI J M (Warsaw Univ., Warsaw, POL) ,  KAMINSKA M (Warsaw Univ., Warsaw, POL)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 7  号： 9  ページ： 1348-1350  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AMMONO法と命名したGaNやAlN用新規製造法は,超臨界...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  研削・研摩材  (YC06020Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  AlN