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J-GLOBAL ID：200902199410212695   整理番号：97A0711204

シリコンMOSFETの基本散乱理論

Elementary Scattering Theory of the Si MOSFET.
著者 (1件)：
LUNDSTROM M

LUNDSTROM M について

(Purdue Univ., IN, USA)

Purdue Univ., IN, USA について


資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 18  号： 7  ページ： 361-363  発行年： 1997年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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シリコンMOSFETは近年そのチャネル長が小さくなると共に,...
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