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J-GLOBAL ID：200902199471131159 整理番号：01A1018792
化合物半導体ウェーハの接着方法および装置
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著者 (1件)：
石川博規
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(
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資料名：
東芝技術公開集
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JST資料番号 L0795A ですべてを検索
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巻：
19
号：
55
ページ：
123-126
発行年：
2001年10月29日
JST資料番号：
L0795A
ISSN：
0288-2701
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
抄録/ポイント：
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GaAs基板上にInGaAlP系化合物半導体層を成長した基板...
シソーラス用語：
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