InAlAs/(110)InPにおけるAlの偏析領域の形成機構

文献

J-GLOBAL ID：200902199707006474 整理番号：01A0701764

Formation mechanism of Al-segregated region in InAlAs/(110)InP.

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資料名：
巻： 229 ページ： 164-168 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

(110)InP基板上のMBE成長InAlAsにおけるAl偏...

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半導体薄膜

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