文献

J-GLOBAL ID：200902200103491356   整理番号：08A0478908

空中に浮かせたグラフェンの高速電子移動度

Ultrahigh electron mobility in suspended graphene

著者 (11件)： BOLOTIN K.i. (Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  SIKES K.j. (Dep. of Applied Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  JIANG Z. (Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  JIANG Z. (National High Magnetic Field Lab., Tallahassee, FL 32310, USA) ,  KLIMA M. (Dep. of Mechanical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  FUDENBERG G. (Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  HONE J. (Dep. of Mechanical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  KIM P. (Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  STORMER H.l. (Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  STORMER H.l. (Dep. of Applied Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA) ,  STORMER H.l. (Bell Labs, Alcatel-Lucent Technologies, Murray Hill, NJ 07974, USA)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 146  号： 9-10  ページ： 351-355  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空中に浮かせた単層グラフェンによって,約2×10¹¹cm^-2の電子密度において,200000cm²V^-1s^-1以上の移動度を達成した。電子線リソグラフィーとエッチングによって,Si/SiO₂ゲート電極の上約150nmにグラフェンを浮かせ,このグラフェンに電極をつけた。電流加熱によって試料をその場で清浄にし,電気輸送の顕著な改善を得た。移動度の大幅な増強に伴って,空中に浮かせていない通常の素子に比べて,特性Diracピークの幅が1/10に減少した。この進歩によって,黒鉛の固有輸送特性に接近できる。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラファイト ,  半導体薄膜 ,  低次元系 ,  二次元 ,  焼なまし ,  *Hall移動度 ,  濃度依存性 ,  Shubnikov-de Haas効果 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  *キャリア移動度 ,  *グラフェン

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  電子移動度