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J-GLOBAL ID：200902200194956925   整理番号：09A0214455

3.8THz GaAs量子カスケードレーザの熱活性化縦光学フォノン散乱

Thermally Activated Longitudinal Optical Phonon Scattering of a 3.8THz GaAs Quantum Cascade Laser

著者 (3件)： LIN Tsung-Tse (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHTANI Keita (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 2  ページ： 022102.1-022102.3  発行年： 2009年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3.8THz GaAs量子カスケードレーザの励起サブバンドの熱活性化縦光学(LO)フォノン散乱時間(τ)を調べた。用いた活性領域はLOフォノンデポピュレーション方式に基づく。光閉込めには単一プラズモン導波路を用いた。閾値電流密度の温度依存性を計算し実験と比較して,閾値電流密度の特性温度を制限するτを推定した。5Kにおけるτは246nsで,温度が100Kに上昇すると15psに急速に低下した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  活性化 ,  *フォノン ,  *散乱 ,  電流 ,  温度依存性 ,  電磁波 ,  *量子カスケードレーザ ,  テラヘルツ波 ,  *光学フォノン ,  *フォノン散乱 ,  閾値電流
準シソーラス用語： 熱活性化

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (20件)：

• FAIST, J. Science. 1994, 264, 553
• KOHLER, R. Nature. 2002, 417, 156
• WALTHER, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 131122
• TREDICUCCI, A. Proc. SPIE. 2005, 5738, 146
• WILLIAMS, B. S. Electron. Lett. 2006, 42, 89

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  量子カスケードレーザ ,  熱活性化 ,  縦光学フォノン ,  散乱