その場エネルギイオン散乱を使った,原子層堆積によるSi(100)上のHfO<sub>2</sub>膜の初期成長の研究

CHANG H S; HWANG H; CHO M-H; MOON D W

文献

J-GLOBAL ID：200902200333048214 整理番号：05A0196980

その場エネルギイオン散乱を使った,原子層堆積によるSi(100)上のHfO₂膜の初期成長の研究

Investigation of the initial stage of growth of HfO₂ films on Si(100) grown by atomic-layer deposition using in situ medium energy ion scattering

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巻： 86 号： 3 ページ： 031906.1-031906.3 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

補償型金属酸化物半導体デバイスのゲート誘電層の厚さがサブミク...

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酸化物薄膜

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その場エネルギイオン散乱を使った,原子層堆積によるSi(100)上のHfO2膜の初期成長の研究

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